1. Что означает технологическая совместимость элементов полупроводниковой микросхемы и в чем заключается выигрыш для производства?
2. Какие операции включает цикл избирательного легирования кремния?
3. Какие условия необходимо обеспечить при легировании, чтобы возник p-n-переход?
4. Что заставляет атомы легирующей примеси проникать в кристаллическую решетку в случае термической диффузии и в случае ионной имплантации?
5. Почему диффузионные области n⁺ и р⁺ целесообразно формировать в одностадийном процессе?
6. Чем определяется величина пробивного напряжения плавного и ступенчатого p-n-переходов?
7. Почему не вся примесь, внедренная в кристаллическую решетку, определяет электропроводность слоя?
8. Каковы этапы процесса фотолитографии?
9. Какие факторы определяют точность взаимного положения различных топологических слоев?
10. За счет чего создается атомарный поток вещества на подложку в случае термического вакуумного напыления и в случае распыления ионной бомбардировкой?
11. Какие факторы ограничивают минимальные размеры тонкопленочных интегральных резисторов?
12. Какие операции включает цикл формирования слоя тонкопленочных элементов?
13. Каковы особенности конструкции коммутационных плат для микросборок?
14. Какими способами можно закрепить подложку в корпусе микросхемы (микросборки) и кристалл на подложке или в корпусе?
15. Каковы варианты электрического монтажа кристаллов микросхем на подложках (в корпусах)?