Понятие удельное поверхностное сопротивления слоя можно установить путём следующих рассуждений. Пусть легированная область представляет собой в плане прямоугольный элемент длиной l и шириной a при толщине d. Сопротивление такого элемента току, протекающему вдоль элемента, может быть определено по общеизвестной формуле , где r [Ом×см] – удельное объёмное сопротивление материала области (слоя). Для элемента квадратной формы (l=a) его сопротивление . Удельное поверхностное сопротивление R_сл, выражаемое в омах, является, таким образом, сопротивлением квадратного участка слоя независимо от размеров квадрата. Теперь сопротивление прямоугольного элемента может быть представлено в виде

(25)

т.е. как удельное поверхностное сопротивление R_сл, умноженное на число квадратов со стороной а, вписывающихся в элемент длиной l

Параметр R_сл широко используется для расчёта сопротивлений областей, в которых токи протекают параллельно плоскости кристалла: пассивная база и коллектор транзисторов, резисторы, межсоединения на поверхности кристалла.

При известной толщине полупроводникового слоя d=X_п задача определения R_сл в основном сводится к отысканию значения r. Удельное объёмное сопротивление r зависит от средней эффективной концентрации примеси N_ср.эф. В свою очередь, N_ср.эф определяется средней концентрацией введённой примеси за вычетом концентрации примеси, компенсированной примесью исходного слоя.

На рис. 14 приведено в качестве примера распределение примеси в базовом слое (N_б) и коллекторе (N_к = N_исх). Площадь под кривой N_б выражает собой полную дозу легирования

В пределах рассматриваемого базового слоя присутствует лишь часть дозы введенной примеси

(26)

где N(x)-функция распределения концентрации примеси.

Интегрирование согласно (26) приводит к следующим выражениям:

для базового диффузионного слоя
	(27)
для имплантированного слоя
	(28)

Для эмиттерного слоя, который используется при проектировании низкоомных (несколько десятков Ом) резисторов, ввиду высокой крутизны кривой N(x), можно принять Q_n@ Q (на рис. 14 заштрихованная справа площадь становится пренебрежительно малой).

Средняя концентрация введённой примеси в пределах 0…Хп
	(29)
Средняя эффективная концентрация в слое
	(30)
Средняя эффективная концентрация в слое
	(31)

где q=1,6×10^-19 Кл- заряд электрона; m- подвижность основных носителей в слое, см²/(В×с).

Для кремния при Т=300 К подвижность электронов и дырок определяется соответственно по формулам:

	(32)
	(33)

Здесь N_S=N_ср+N_исх – суммарная концентрация примеси в слое.

Искомое значение удельного поверхностного сопротивления определяется по выражению:

	(34)