Структура и топология резистора, сформированного в полупроводниковом материале, приведены на рис. 15. Сопротивление резистора складывается из сопротивления линейной части, которое подчиняется выражению R=R_сл×l/a, и сопротивления приконтактных областей, которое определяется через эмпирический коэффициент k, выраженный в долях R_сл.

	(35)

Коэффициент k зависит от формы и размеров приконтактной области и ширины а линейной части резистора. Он определяется по номограммам, приведенным в табл. 3. Размер а должен быть минимально возможным, но следует учитывать, однако, возможности технологии и требования точности сопротивления (с уменьшением ширины точность уменьшается).

Для расчета минимальных размеров приконтактных областей используются правила, изложенные в разделе 12. Подробные сведения о расчете резисторов читатель может найти в [ ]. После определения а и k по выражению (35) определяют длину l линейной части резистора. Для формирования резисторов могут быть использованы любые слои физической структуры ИМС. В практике проектирования и производства находят применения резисторы на основе эмиттерного слоя (сопротивления в несколько десятков Ом), базового слоя (от сотен до нескольких тысяч Ом), слоя активной базы (десятки тысяч Ом, так называемые "ПИНЧ-резисторы").