|
Однобитовая flash-память (Intel) |
5В StrataFlash память |
3В StrataFlash память |
Размер (Mbit) |
32 |
64 |
128 |
Размер одного блока (Kb) |
64 |
128 |
128 |
Напряжение питания (В) |
2.7 - 3.6 |
4.5 - 5.5 |
2.7 - 3.6 |
Время чтения (ns) |
120 |
150 |
150 |
Время записи (ms) |
11.3 |
12.6 |
13.6 |
Время стирания (s) |
0.55 |
0.7 |
1.2 |
Рабочая температура (°C) |
От -40 до +85 |
От -20 до +70 |
От -20 до +70 |
Количество циклов записи |
100000 |
100000 |
100000 |
Как видно из таблицы, скорость чтения одного блока для Strataflash-памяти превосходит скорость чтения для обычной памяти более чем в полтора раза. Это связано с тем, что из одной ячейки памяти читаются сразу два бита, а не один, но и прибавляется некоторое время задержки, связанное с расшифровкой значения битов. Это же относится и к записи, и к стиранию. Остальные параметры достаточно похожи для всех видов памяти. Сегодня эта память находит применение в различных областях техники, где требуется большая емкость при низкой цене. Одно из применений - это сотовые телефоны, в большинстве которых стоит именно эта память, служащая для хранения программ связи, телефонных номеров и другой запоминаемой информации. Другое применение - это портативные компьютеры, оснащенные операционной системой Windows CE, где Strataflash-память используется для хранения программ и данных вместо винчестеров. В будущем фирма Intel собирается делать память, которая хранила бы 4 бита в одной ячейке. Такая память, по планам, должна появиться уже в 2003 году. Кроме того, производители обычной памяти начали задумываться над тем, что и для нее можно использовать похожую технологию и хранить на одном конденсаторе несколько бит информации, уменьшая удельную площадь памяти. Таким образом, можно сказать, что появление этой технологии задало новый стандарт всей индустрии памяти.