Как уже говорилось ранее, flash-память - это транзистор с плавающим затвором, который позволяет хранить электроны. Поведение транзистора зависит от количества электронов. Операция программирования (заряд плавающего затвора) создает поток электронов между истоком и стоком транзистора. Часть этих электронов набирает достаточное количество энергии, чтобы преодолеть барьер Si-SiO2 и оказаться запертой на плавающем затворе. Если заряд плавающего затвора у однобитного транзистора меньше 5000 электронов, то это означает, что ячейка хранит логическую "1", а если заряд больше 30000 электронов, то - "0". Заряд ячейки вызывает изменение порогового напряжения транзистора, и при операции чтения измеряется величина этого порогового напряжения, а по нему определяется количество заряда на плавающем затворе. После выполнения операции стирания или программирования каждой ячейки этого массива было проведено измерение порогового напряжения с результатами, представленными в виде гистограммы на рисунке. Стертые ячейки (логическая "1") имели порог 3.1В, в то время как запрограммированные (логический "0") имели пороговое напряжение более 5В