Флэш-память - особый вид энергонезависимой (не требующая дополнительной энергии для хранения данных, энергия требуется только для записи), перезаписываемой (допускающей изменение хранимых в ней данных), полупроводниковой (не содержащая механически движущихся частей, построенная на основе интегральных микросхем) памяти. Название было дано компанией Toshiba во время разработки первых микросхем флэш-памяти (в начале 1980-х) как характеристика скорости стирания микросхемы флэш-памяти "in a flash" - в мгновение ока. Также существуют два других объяснения названия этого вида памяти: процесс записи на флэш-память по-английски называется flashing (засвечивание, прожигание) - такое название осталось в наследство от предшественников флэш-памяти; в отличие от EEPROM, запись/стирание данных во флэш-памяти производится блоками-кадрами (flash - короткий кадр [фильма]). Встречающиеся в отечественной литературе попытки объяснить происхождение названия флэш-памяти как характеристику высокого быстродействия данного типа памяти (переводя слово flash как вспыхнуть, пронестись, короткий промежуток времени) следует признать несостоятельными, хотя и не лишёнными здравого смысла.
Флэш-память ведет свою родословную от EEPROM, или Electrically Erasable Programmable Read Only Memory. Флэш-память организована не в пример проще EEPROM, вследствие чего и получила большее распространение. В первой доступ осуществляется на страничной и сегментной основе, в то время как первоначально предполагалась произвольная адресация. Но поскольку при операции удаления данных из ячеек необходимо использовать сравнительно "высокое" напряжение, стирание оказалось чересчур длительной процедурой. Именно из этих соображений исходили инженеры, создавая флэш-память.