NOR.
Название NOR ведет свою родословную от логической операции Not OR
(не «или»): если хотя бы один из транзисторов, подключенных к линии битов,
включен, то считывается "0". NOR-Ячейки работают сходным с EPROM способом.
Каждый транзистор-ячейка подключен к трем линиям: Word Line (линия
слов), Select Line (линия выборки) и Bit Line (линия бит).
Выборка осуществляется путем подачи высокого напряжения на Word Line,
подключенную к затвору, и наблюдения за разницей потенциалов между Select Line
(исток) и Bit Line (сток). Если на плавающем затворе находилось достаточное
количество электронов, то их отрицательное поле препятствовало протеканию тока
между истоком и стоком и напряжение оставалось высоким. Такое состояние
полагается в терминах флэш-памяти нулем, в противоположном случае считывается
единица.
Интерфейс - параллельный. Возможно как произвольное чтение,
так и запись.
Программирование - методом инжекции "горячих" электронов.
Стирание - методом туннеллирования Фаулера-Нордхейма.
Преимущества - быстрый произвольный доступ, возможность
побайтной записи.
Недостатки - относительно медленная запись и стирание.
Основные производители: AMD, Intel, Sharp, Micron, Ti, Toshiba,
Fujitsu, Mitsubishi, SGS-Thomson, STMicroelectronics, SST, Samsung, Winbond,
Macronix, NEC, UMC.
Из двух типов имеет наибольший размер ячейки, а потому плохо масштабируется. Единственный тип памяти, работающий на двух разных напряжениях. Идеально подходит для хранения кода программ (PC BIOS, сотовые телефоны), представляет собой идеальную замену обычному EEPROM.