Стр 1
Стр 2
Стр 3

 

 

 

 

 

Однобитовая flash-память (Intel)

5В StrataFlash память

3В StrataFlash память

Размер (Mbit)

32

64

128

Размер одного блока (Kb)

64

128

128

Напряжение питания (В)

2.7 - 3.6

4.5 - 5.5

2.7 - 3.6

Время чтения (ns)

120

150

150

Время записи (ms)

11.3

12.6

13.6

Время стирания (s)

0.55

0.7

1.2

Рабочая температура (°C)

От -40 до +85

От -20 до +70

От -20 до +70

Количество циклов записи

100000

100000

100000

Как видно из таблицы, скорость чтения одного блока для Strataflash-памяти превосходит скорость чтения для обычной памяти более чем в полтора раза. Это связано с тем, что из одной ячейки памяти читаются сразу два бита, а не один, но и прибавляется некоторое время задержки, связанное с расшифровкой значения битов. Это же относится и к записи, и к стиранию. Остальные параметры достаточно похожи для всех видов памяти. Сегодня эта память находит применение в различных областях техники, где требуется большая емкость при низкой цене. Одно из применений - это сотовые телефоны, в большинстве которых стоит именно эта память, служащая для хранения программ связи, телефонных номеров и другой запоминаемой информации. Другое применение - это портативные компьютеры, оснащенные операционной системой Windows CE, где Strataflash-память используется для хранения программ и данных вместо винчестеров. В будущем фирма Intel собирается делать память, которая хранила бы 4 бита в одной ячейке. Такая память, по планам, должна появиться уже в 2003 году. Кроме того, производители обычной памяти начали задумываться над тем, что и для нее можно использовать похожую технологию и хранить на одном конденсаторе несколько бит информации, уменьшая удельную площадь памяти. Таким образом, можно сказать, что появление этой технологии задало новый стандарт всей индустрии памяти.

 

 

 

 

 

 

Hosted by uCoz