Через восемь лет, в 1979 году после выхода EPROM, фирма Intel разрабатывает новый вид памяти, которая могла быть перезаписана частями. С помощью электрического тока становилось возможным изменение данных в определенной ячейке микросхемы. Это нововведение уменьшало время программирования, а также позволяло отказаться от внешних устройств-программаторов. Для записи данных память достаточно было подключить к системной шине микропроцессора, что значительно упрощало работу с микросхемой. За удовольствие надо платить... Поэтому стоимость EEPROM была высокой. Это неудивительно, так как технологии производства такой памяти были очень сложными. В отличие от предыдущего EPROM, увеличивалось количество циклов перезаписи информации.

Наконец в 1984 году компания Toshiba разрабатывает принципиально новый вид памяти под названием Flash. Через четыре года Intel выпускает свой вариант Flash-памяти (поэтому иногда ее создание незаслуженно приписывают этой компании). Но обо всем по порядку. Flash-память была создана в 1984 году. Сразу после этого начался интенсивный процесс развития этого вида, а на ее предшественницу торжественно забили (хотя EEPROM еще долгое время рулил на рынке). Устройство Flash имеет довольно сложную структуру. Дело в том, что процессы перепрожига микросхемы базируются на законах квантовой механики. В самом простом случае ячейка Flash состоит из одного полевого транзистора. Элемент включает в себя специальную электрически изолированную область, называемую “плавающим затвором”. Этот термин возник из-за того, что потенциал этой области не является стабильным, что позволяет накапливать в ней электроны (именно здесь и хранится вся информация памяти). Выше “плавающего” находится управляющий затвор, который является неотъемлемой частью при процессе записи/стирания данных памяти. Эта область напрямую соединена с линией слов. Перпендикулярно этой линии располагается линия битов, которая соединена со стоком (при записи данных из этой области транзистора появляется поток электронов). Сток разделяется с истоком специальной подложкой, которая не проводит электрический ток. Запись данных во Flash происходит методом инжекции "горячих" электронов, а стирание – методом туннелирования Фаулера-Нордхейма (Jox=A*E^2*exp(-Eo/E), где Jox – туннельный ток инжекции, А – константы, E – напряженность электрического поля).